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微波助力半導體研究

更新時間:2023-08-18點擊次數(shù):1239

當下,半導體產(chǎn)業(yè)備受關注,在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下,第三代半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。

 

半導體材料處于半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié),是半導體產(chǎn)業(yè)的基石。其產(chǎn)業(yè)規(guī)模大、細分行業(yè)多。

 

其中,半導體膜是由半導體材料形成的薄膜。根據(jù)制備半導體薄膜的技術不同,在結構上可分為單晶、多晶和無定形薄膜。

 

探索最適合的消解參數(shù),有利于后續(xù)對多種無機元素的快速準確測定。

 

實驗方案

 

 

儀器

 

 

新儀 MASTER-18 微波消解儀、趕酸器、分析天平(十萬分之一)等

圖片

試劑

 

硝酸(68%),氫氟酸(40%)

 

實驗方法

 

精確稱取半導體薄膜材料50 mg(精確至0.1 mg),緩慢滴加8 mL 硝酸(劇烈反應,釋放氣體),靜置10 min 左右,待無明顯反應后,補加2 mL 氫氟酸,組裝消解罐,按照如下設置參數(shù)進行實驗:

 

階段

溫度/℃

時間/min

功率/W

1

150

10

400

2

180

5

400

3

210

45

400

 

實驗結束后,待冷卻至60℃以下,取出消解罐轉(zhuǎn)移至通風櫥中緩慢打開,趕酸稀釋后,樣品可完全消解至澄清透明狀態(tài)。

 

結果

 

實驗選取的半導體薄膜材料樣品,取樣為50 mg,加入硝酸靜置后,補加氫氟酸,最高實驗溫度210 ℃,保溫40 min 左右,樣品可完全消解。

 

注意

 

1、添加氫氟酸進行實驗后,需進行趕酸處理,防止氫氟酸對玻璃器皿造成腐蝕,也可能會對實驗結果造成影響。

 

2、添加硝酸后樣品反應劇烈,實驗過程中應緩慢加入或者分多次加入硝酸,同時實驗人員需做好防護。

 

 

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